国家标准计划《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)阈值电压测量指南》由 TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口 ，主管部门为工业和信息化部（电子）。

主要起草单位 中国电子技术标准化研究院 、中国电子科技集团公司第十三研究所 、深圳市美浦森半导体有限公司 、中国电子科技集团公司第五十五研究所 、济南晶恒电子有限责任公司 、陕西亚成微电子股份有限公司 。

本标准等同采用IEC国际标准：IEC 63505：2025。

采标中文名称:碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压测量指南。