国家标准计划《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）试验方法 第3部分：动态栅偏》由 TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，TC78SC1（全国半导体器件标准化技术委员会半导体分立器件分会）执行 ，主管部门为工业和信息化部（电子）。

主要起草单位 清纯半导体（宁波）有限公司 、复旦大学宁波研究院 、复旦大学 、东南大学 、智新半导体有限公司 、深圳市禾望电气股份有限公司 、深圳平湖实验室 、江苏宏微科技股份有限公司 、北京华峰测控技术股份有限公司 、宁波达新半导体有限公司 、泰科天润半导体科技（北京）有限公司 、西安交通大学 、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 、广东芯聚能半导体有限公司 、忱芯科技(上海)有限公司 、广电计量检测集团股份有限公司 、工业和信息化部电子第五研究所 、中国科学院微电子研究所 、东莞南方半导体科技有限公司 、安徽长飞先进半导体股份有限公司 、湖北九峰山实验室 、深圳市美浦森半导体有限公司 、合肥功立德半导体科技有限公司 、一汽旗新动力（长春）科技有限公司 、北京怀柔实验室 、特变电工新疆新能源股份有限公司 。

主要起草人 孙博韬 、雷光寅 、樊嘉杰 、李世丹 、王民 、刘盼 、徐瑞鹏 、陈媛 、汤益丹 、乔良 、袁俊 、魏家行 、毛赛君 、李汝冠 、谢峰 、徐新兵 、郭雯 、刘惠鹏 、张海涛 、朱涛 、王来利 、张晓松 、陆月明 、冯海科 、孙钦华 、宋鑫宇 、王群 、胡惠娜 。