国家标准计划《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）测试方法 第3部分：阈值电压》由 TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，TC78SC1（全国半导体器件标准化技术委员会半导体分立器件分会）执行 ，主管部门为工业和信息化部（电子）。

主要起草单位 中国电子科技集团公司第五十五研究所 、南京第三代半导体技术创新中心有限公司 、扬州国扬电子有限公司 、中国电子科技集团公司第十三研究所 、工业和信息化部电子第五研究所 、东南大学 、杭州芯迈半导体技术有限公司 、广电计量检测集团股份有限公司 、浙江大学 、浙江大学绍兴研究院 、湖北九峰山实验室 、是德科技（中国）有限公司 、博测锐创半导体科技（苏州）有限公司 、北京励芯泰思特测试技术有限公司 、山东大学 、泰科天润半导体科技（北京）有限公司 、西安交通大学 、朝阳微电子科技股份有限公司 、山东阅芯电子科技有限公司 、江苏第三代半导体研究院有限公司 、厦门华联半导体科技有限公司 、芯合半导体（合肥）有限公司 、广东能芯半导体科技有限公司 、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 。