国家标准计划《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）测试方法 第3部分：阈值电压》由 TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，TC78SC1（全国半导体器件标准化技术委员会半导体分立器件分会）执行 ，主管部门为工业和信息化部（电子）。

主要起草单位 中国电子科技集团公司第五十五研究所 、扬州国扬电子有限公司 、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 、上海赛西科技发展有限责任公司 、中国电子科技集团公司第十三研究所 、工业和信息化部电子第五研究所 、广电计量检测集团股份有限公司 、东南大学 、合肥功立德半导体科技有限公司 、忱芯科技(上海)有限公司 、浙江大学 、浙江大学绍兴研究院 、深圳平湖实验室 、湖北九峰山实验室 、是德科技（中国）有限公司 、西安交通大学 、江苏宏微科技股份有限公司 、南京邮电大学 、中电科第三代半导体科技有限公司 、泰科天润半导体科技（北京）有限公司 、北京怀柔实验室 、北京华峰测控技术股份有限公司 、安徽长飞先进半导体股份有限公司 、一汽旗新动力（长春）科技有限公司 。

主要起草人 张国斌 、柏松 、黄润华 、都小凡 、刘奥 、高伟 、郝立超 、迟雷 、陈媛 、李汝冠 、魏家行 、孙钦华 、毛赛君 、郭清 、林氦 、万玉喜 、杨安丽 、孙承志 、王来利 、吴云 、张珺 、畅磊 、胡惠娜 、李哲洋 、周鹏 、肖磊 、宋鑫宇 。