国家标准计划《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）试验方法 第6部分：动态反偏（DRB）》由 TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，TC78SC1（全国半导体器件标准化技术委员会半导体分立器件分会）执行 ，主管部门为工业和信息化部（电子）。 拟实施日期：发布后6个月正式实施。

主要起草单位 工业和信息化部电子第五研究所 、忱芯科技(上海)有限公司 、安徽长飞先进半导体股份有限公司 、清纯半导体（宁波）有限公司 、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 、中国电子科技集团公司第五十五研究所 、比亚迪半导体股份有限公司 、广东芯聚能半导体有限公司 、广电计量检测集团股份有限公司 、东南大学 、江苏宏微科技股份有限公司 、泰科天润半导体科技（北京）有限公司 、东莞南方半导体科技有限公司 、复旦大学宁波研究院 、中国科学院电工研究所 、深圳市禾望电气股份有限公司 、湖北九峰山实验室 、北京华峰测控技术股份有限公司 、深圳平湖实验室 、西安交通大学 、合肥功立德半导体科技有限公司 、中国第一汽车股份有限公司 、中国电力科学研究院有限公司 、扬州国扬电子有限公司 。

主要起草人 陈媛 、陈兴欢 、何亮 、施宜军 、毛赛君 、陆月明 、孙博韬 、高伟 、路国光 、来萍 、张国斌 、吴海平 、张晓松 、李汝冠 、刘斯扬 、王群 、胡惠娜 、乔良 、张俊然 、张瑾 、谢峰 、丁琪超 、周鹏 、胡浩林 、王来利 、孙钦华 、朱占山 、杨霏 、郝凤斌 。