国家标准计划《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）试验方法 第6部分：动态反偏（DRB）》由 TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，TC78SC1（全国半导体器件标准化技术委员会半导体分立器件分会）执行 ，主管部门为工业和信息化部（电子）。

主要起草单位 工业和信息化部电子第五研究所 、忱芯科技（上海）有限公司 、中国科学院电工研究所 、比亚迪半导体股份有限公司 、清纯半导体（宁波）有限公司 、复旦大学宁波研究院 、东风汽车集团有限公司 、湖北九峰山实验室 、深圳市禾望电气股份有限公司 、杭州芯迈半导体技术有限公司 、中国电力科学研究院有限公司 、中国第一汽车集团有限公司 、广电计量检测集团股份有限公司 、西安交通大学 、深圳平湖实验室 、江苏第三代半导体研究院有限公司 、广东省东莞市质量监督检测中心 、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 。