国家标准计划《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）试验方法 第1部分：功率循环》由 TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，TC78SC1（全国半导体器件标准化技术委员会半导体分立器件分会）执行 ，主管部门为工业和信息化部（电子）。 拟实施日期：发布后6个月正式实施。

主要起草单位 工业和信息化部电子第五研究所 、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 、安徽长飞先进半导体股份有限公司 、广东工业大学 、国芯微电子（广东）有限公司 、中国电子科技集团公司第五十五研究所 、比亚迪半导体股份有限公司 、江苏宏微科技股份有限公司 、广东芯聚能半导体有限公司 、忱芯科技(上海)有限公司 、清纯半导体（宁波）有限公司 、东南大学 、深圳平湖实验室 、泰科天润半导体科技（北京）有限公司 、浙江大学绍兴研究院 、浙江大学 、东莞南方半导体科技有限公司 、深圳市禾望电气股份有限公司 、西安交通大学 、浙江翠展微电子有限公司 、广东力德诺电子科技有限公司 。

主要起草人 陈媛 、施宜军 、陈兴欢 、何亮 、高伟 、陆月明 、贺致远 、来萍 、路国光 、陈义强 、成年斌 、张国斌 、吴海平 、王群 、张晓松 、毛赛君 、雷光寅 、孙伟峰 、罗曦溪 、胡惠娜 、林氦 、郭清 、乔良 、张刚 、王来利 、吴瑞 、陈积干 。