国家标准计划《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）试验方法 第1部分：功率循环》由 TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，TC78SC1（全国半导体器件标准化技术委员会半导体分立器件分会）执行 ，主管部门为工业和信息化部（电子）。

主要起草单位 工业和信息化部电子第五研究所 、江苏宏微科技股份有限公司 、国网智能电网研究院有限公司 、深圳市禾望电气股份有限公司 、佛山市国星光电股份有限公司 、中国电子科技集团公司第五十五研究所 、比亚迪半导体股份有限公司 、深圳基本半导体有限公司 、中国航天科技集团公司第八研究院第八〇八研究所 、南方电网科学研究院有限责任公司 、西安交通大学 、东莞南方半导体科技有限公司 、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 。