国家标准计划《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）试验方法 第4部分：高温反偏》由 TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，TC78SC1（全国半导体器件标准化技术委员会半导体分立器件分会）执行 ，主管部门为工业和信息化部（电子）。 拟实施日期：发布后6个月正式实施。

主要起草单位 忱芯科技（上海）有限公司 、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 、工业和信息化部电子第五研究所 、广电计量检测集团股份有限公司 、北京怀柔实验室 、深圳平湖实验室 、东南大学 、安徽长飞先进半导体股份有限公司 、武汉山拓微电子有限公司 、广东芯聚能半导体有限公司 、合肥功立德半导体科技有限公司 、浙江大学 、西安交通大学 、湖北九峰山实验室 、中国电子科技集团公司第五十五研究所 、江苏宏微科技股份有限公司 、清纯半导体（宁波）有限公司 、中国长江三峡集团有限公司 、广东工业大学 、中国第一汽车股份有限公司 、国芯微电子（广东）有限公司 、深圳市大能创智半导体有限公司 、泰科天润半导体科技（北京）有限公司 。

主要起草人 毛赛君 、王鑫 、徐新兵 、高伟 、陈媛 、李汝冠 、金锐 、刘玮 、魏家行 、陆月明 、邓云峰 、张晓松 、孙钦华 、王珩宇 、王来利 、肖科 、张国斌 、吴云 、孙博韬 、贾娜 、贺致远 、孙相超 、成年斌 、谢斌 、胡惠娜 。