国家标准计划《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）测试方法 第1部分：开关动态参数》由 TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，TC78SC1（全国半导体器件标准化技术委员会半导体分立器件分会）执行 ，主管部门为工业和信息化部（电子）。

主要起草单位 重庆大学 、华润润安科技有限公司 、北京华峰测控技术股份有限公司 、杭州飞仕得科技有限公司 、杭州芯迈半导体技术有限公司 、是德科技（中国）有限公司 、忱芯科技（上海）有限公司 、深圳麦科信科技有限公司 、浙江大学 、国网江苏省电力有限公司经济技术研究院 、合肥工业大学 、中国工程物理研究院电子工程所 、苏州汇川联合动力系统股份有限公司 、泰克科技（中国）有限公司 、山东阅芯电子科技有限公司 、工业和信息化部电子第五研究所 、湖北九峰山实验室 、中国电力科学研究院有限公司 、株洲中车时代半导体有限公司 、东风汽车集团有限公司 、智新半导体有限公司 、西安交通大学 、深圳平湖实验室 、上海瞻芯电子科技股份有限公司 、深圳市新凯来技术有限公司 、中国第一汽车集团有限公司 、广东省东莞市质量监督检测中心 、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 。