国家标准计划《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）测试方法 第1部分：开关动态参数》由 TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，TC78SC1（全国半导体器件标准化技术委员会半导体分立器件分会）执行 ，主管部门为工业和信息化部（电子）。

主要起草单位 重庆大学 、国网江苏省电力有限公司 、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 、华润微电子有限公司 、北京华峰测控技术股份有限公司 、广电计量检测集团股份有限公司 、工业和信息化部电子第五研究所 、是德科技（中国）有限公司 、合肥功立德半导体科技有限公司 、东南大学 、西安交通大学 、中国工程物理研究院 、国网江苏省电力有限公司经济技术研究院 、南方电网科学研究院有限责任公司 、南方电网电力科技股份有限公司 、深圳麦科信科技有限公司 、深圳市禾望电气股份有限公司 、国网重庆市电力公司电力科学研究院 、甬江实验室 、浙江大学绍兴研究院 、杭州飞仕得科技股份有限公司 、深圳市汇川技术股份有限公司 、深圳平湖实验室 、中国电力科学研究院有限公司 、北京怀柔实验室 、一汽旗新动力（长春）科技有限公司 、浙江翠展微电子有限公司 、安徽长飞先进半导体股份有限公司 、江苏宏微科技股份有限公司 、九峰山实验室 、复旦大学宁波研究院 。

主要起草人 曾正 、孙鹏 、孙文涛 、潘效飞 、牛富丽 、高伟 、袁伟 、张文嘉 、刘惠鹏 、李汝冠 、陈媛 、孙承志 、孙钦华 、魏家行 、王来利 、李俊焘 、杨剑波 、杨伟涛 、熊岩 、张兴杰 、谢峰 、蒋雪峰 、郑晟 、林氦 、刘伟 、吴桢生 、陈刚 、陈国富 、张文婷 、宋鑫宇 、吴瑞 、姜新武 、王天赐 、袁俊 、左元慧 。