国家标准计划《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）测试方法 第2部分：栅极电荷》由 TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，TC78SC1（全国半导体器件标准化技术委员会半导体分立器件分会）执行 ，主管部门为工业和信息化部（电子）。 拟实施日期：发布后6个月正式实施。

主要起草单位 东南大学 、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 、工业和信息化部电子第五研究所 、忱芯科技(上海)有限公司 、重庆大学 、中国电子科技集团公司第五十五研究所 、清纯半导体（宁波）有限公司 、浙江大学绍兴研究院 、广电计量检测集团股份有限公司 、是德科技（中国）有限公司 、浙江大学 、深圳平湖实验室 、中国电力科学研究院有限公司 、北京华峰测控技术股份有限公司 、扬州扬杰电子科技股份有限公司 、无锡华润华晶微电子有限公司 、江苏宏微科技股份有限公司 、安徽长飞先进半导体股份有限公司 、西安交通大学 、常州同惠电子股份有限公司 、苏州汇川联合动力系统股份有限公司 、复旦大学宁波研究院 、一汽旗新动力（长春）科技有限公司 、湖北九峰山实验室 、合肥功立德半导体科技有限公司 、北京怀柔实验室 、华北电力大学 。

主要起草人 魏家行 、曹钧厚 、孙伟锋 、林氦 、陈媛 、毛赛君 、孙鹏 、张国斌 、孙博韬 、高伟 、李汝冠 、孙承志 、王珩宇 、王晓萍 、张雷 、刘惠鹏 、裘俊庆 、张新 、王天赐 、肖磊 、王来利 、陈绪聪 、张太之 、李世丹 、刘志强 、袁俊 、孙钦华 、和峰 、蔡雨萌 。