国家标准《半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法》 由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口 ，主管部门为工业和信息化部（电子）。

主要起草单位 工业和信息化部电子第五研究所 、电子科技大学 、深圳平湖实验室 、合肥工业大学 、湖南大学 、中国电子科技集团公司第五十五研究所 、北京智慧能源研究院 、清纯半导体（宁波）有限公司 、山东大学 、株洲中车时代半导体股份有限公司 、河北博威集成电路有限公司 、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 、广东天域半导体股份有限公司 、江苏环鑫半导体有限公司 、西安卫光科技有限公司 、上海航天技术基础研究所 、国家市场监督管理总局认证认可技术研究中心 、乐山希尔电子股份有限公司 、上海贝岭股份有限公司 、杭州高坤电子科技股份有限公司 。

主要起草人 陈媛 、路国光 、陈兴欢 、来萍 、韦覃如 、何亮 、侯波 、刘陆川 、邵伟恒 、陈万军 、施宜军 、万玉喜 、邓二平 、陈义强 、王俊 、张国斌 、金锐 、修德琦 、崔潆心 、陈中圆 、梁世维 、李瑞莲 、孙博韬 、罗海辉 、姚尧 、卢啸 、郭跃伟 、高伟 、黄土地 、丁雄杰 、敖松泉 、陈澄 、智晶 、李飞 、马林东 、吴海文 、王若冰 、邓华鲜 、张丙可 、吴一帆 、胡久恒 。

本标准等同采用IEC国际标准：IEC 63275-2:2022。

采标中文名称:半导体器件 碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法 第2部分：体二极管工作引起的双极退化的试验方法。