国家标准《半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法》 由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口 ，主管部门为工业和信息化部（电子）。

主要起草单位 工业和信息化部电子第五研究所 、中国电子科技集团公司第五十五研究所 、株洲中车时代半导体股份有限公司 、东南大学 、北京国联万众半导体科技有限公司 、清纯半导体（宁波）有限公司 、安徽长飞先进半导体股份有限公司 、龙腾半导体股份有限公司 、浙江大学 、河北博威集成电路有限公司 、河北北芯半导体科技有限公司 、电子科技大学 、广东天域半导体股份有限公司 、TCL环鑫半导体（天津）有限公司 、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 、中国南方电网有限责任公司超高压输电公司电力科研院 、南京南瑞半导体有限公司 、深圳市威兆半导体股份有限公司 、江苏应能微电子股份有限公司 、江苏长晶科技股份有限公司 、上海贝岭股份有限公司 。

主要起草人 陈媛 、陈兴欢 、陈义强 、何亮 、施宜军 、来萍 、彭超 、张国斌 、罗海辉 、路国光 、赵鹏 、孙伟峰 、魏家行 、谭永亮 、吴帆正树 、夏焕春 、曹琳 、陈敏 、姚尧 、苏日丽 、张园览 、何健锋 、王舶男 、张家祺 、闫志峰 、席善斌 、王珩宇 、郭清 、刘宇 、黄洪钟 、丁雄杰 、杨玉聪 、张新玲 、高伟 、王振 、罗望春 、骆健 、朱郑允 、李伟聪 、马利奇 、孙明光 、刘伟伟 、杨国江 、吴孝严 。

本标准等同采用IEC国际标准：IEC 63275-1:2022。

采标中文名称:半导体器件 碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法。