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国家标准计划《半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)可靠性试验方法 第1部分:偏置温度不稳定性试验方法》由 TC78(全国半导体器件标准化技术委员会)归口 ,主管部门为工业和信息化部(电子)

主要起草单位 工业和信息化部电子第五研究所浙江大学中国电子科技集团公司电子第五十五研究所重庆大学

目录

项目进度

当前标准计划

20242747-T-339 正在起草

半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)可靠性试验方法 第1部分:偏置温度不稳定性试验方法

基础信息

计划号
20242747-T-339
制修订
制定
项目周期
16个月
下达日期
2024-08-23
标准类别
方法
国际标准分类号
31.080.30
31 电子学
31.080 半导体分立器件
31.080.30 三极管
归口单位
全国半导体器件标准化技术委员会
执行单位
全国半导体器件标准化技术委员会
主管部门
工业和信息化部(电子)

起草单位

采标情况

本标准等同采用IEC国际标准:IEC 63275-1:2022。

采标中文名称:半导体器件 碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法 第1部分:偏置温度不稳定性试验。

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