国家标准计划《半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法》由 TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口 ，主管部门为工业和信息化部（电子）。

主要起草单位 工业和信息化部电子第五研究所 、浙江大学 、中国电子科技集团公司电子第五十五研究所 、重庆大学 。

本标准等同采用IEC国际标准：IEC 63275-1:2022。

采标中文名称:半导体器件 碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验。