注册

起草的国家标准计划

#
计划号
项目名称
制修订
计划下达日期
项目状态
1 20250151-T-469 碳化硅粉 制定 2025-01-27 正在起草
2 20241932-T-469 碳化硅单晶 制定 2024-06-28 正在起草
3 20240494-T-469 碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法 制定 2024-03-25 正在征求意见
4 20231108-T-469 碳化硅单晶片微管密度测试方法 修订 2023-12-01 正在批准
5 20231112-T-469 碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法 修订 2023-12-01 正在批准
显示第 1 到第 5 条记录,总共 5 条记录

起草的国家标准

#
标准号
标准中文名称
发布日期
实施日期
标准状态
1 GB/T 43493.1-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分:缺陷分类 2023-12-28 2024-07-01 现行
2 GB/T 43493.2-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分:缺陷的光学检测方法 2023-12-28 2024-07-01 现行
3 GB/T 43493.3-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分:缺陷的光致发光检测方法 2023-12-28 2024-07-01 现行
4 GB/T 43612-2023 碳化硅晶体材料缺陷图谱 2023-12-28 2024-07-01 现行
5 GB/T 43313-2023 碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试 共焦点微分干涉法 2023-11-27 2024-06-01 现行
6 GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法 2021-12-31 2022-07-01 现行
显示第 1 到第 6 条记录,总共 6 条记录