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国家标准计划《碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法》由 TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准委。 拟实施日期:发布后6个月正式实施。

主要起草单位 北京天科合达半导体股份有限公司中国电子科技集团公司第四十六研究所山东天岳先进科技股份有限公司安徽长飞先进半导体股份有限公司广东天域半导体股份有限公司南京盛鑫半导体材料有限公司有色金属技术经济研究院有限责任公司浙江晶瑞电子材料有限公司连科半导体有限公司长飞光纤光缆股份有限公司派恩杰半导体(浙江)有限公司

主要起草人 佘宗静彭同华何烜坤王大军王波杨建贺东江吴殿瑞刘小平刘薇黄宇程胡动力汪传勇赵文琪黄兴

目录

项目进度

修订了以下标准

GB/T 30867-2014 (全部代替)

碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法

GB/T 32278-2015 (全部代替)

碳化硅单晶片平整度测试方法
当前标准计划

20231112-T-469 正在批准

碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法

基础信息

计划号
20231112-T-469
制修订
修订
项目周期
16个月
下达日期
2023-12-01
标准类别
方法
中国标准分类号
H 21
国际标准分类号
77.040
77 冶金
77.040 金属材料试验
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门
国家标准委

起草单位

起草人

佘宗静
彭同华
王波
杨建
刘小平
刘薇
汪传勇
赵文琪
何烜坤
王大军
贺东江
吴殿瑞
黄宇程
胡动力
黄兴

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