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国家标准计划《碳化硅单晶片微管密度测试方法》由 TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准委。 拟实施日期:发布后6个月正式实施。

主要起草单位 中国电子科技集团公司第四十六研究所北京天科合达半导体股份有限公司山东天岳先进科技股份有限公司广东天域半导体股份有限公司有色金属技术经济研究院有限责任公司安徽长飞先进半导体股份有限公司浙江晶瑞电子材料有限公司湖州东尼半导体科技有限公司长飞光纤光缆股份有限公司杭州乾晶半导体有限公司连科半导体有限公司上海优睿谱半导体设备有限公司河南中宜创芯发展有限公司哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司宁波合盛新材料有限公司厦门中芯晶研半导体有限公司

主要起草人 姚康许蓉佘宗静何烜坤王英明张红岩齐菲丁雄杰李素青刘小平欧阳鹏根晏阳王志勇王明华胡润光张超越孙毅赵丽丽赵新田陈基生

目录

项目进度

修订了以下标准

GB/T 30868-2014 (全部代替)

碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法

GB/T 31351-2014 (全部代替)

碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法
当前标准计划

20231108-T-469 正在批准

碳化硅单晶片微管密度测试方法

基础信息

计划号
20231108-T-469
制修订
修订
项目周期
16个月
下达日期
2023-12-01
标准类别
方法
中国标准分类号
H21
国际标准分类号
77.040
77 冶金
77.040 金属材料试验
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门
国家标准委

起草单位

起草人

姚康
许蓉
王英明
张红岩
李素青
刘小平
王志勇
王明华
孙毅
赵丽丽
佘宗静
何烜坤
齐菲
丁雄杰
欧阳鹏根
晏阳
胡润光
张超越
赵新田
陈基生

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