注册

国家标准《碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试 共焦点微分干涉法》 由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准委。

主要起草单位 中国电子科技集团公司第四十六研究所 、山东天岳先进科技股份有限公司 、常州臻晶半导体有限公司 、湖州东尼半导体科技有限公司 、厦门坤锦电子科技有限公司 、中国电子科技集团公司第十三研究所 、广东天域半导体股份有限公司 、有色金属技术经济研究院有限责任公司 、中国科学院半导体研究所 、TCL环鑫半导体(天津)有限公司 、浙江东尼电子股份有限公司 。

主要起草人 姚康 、刘立娜 、何烜坤 、李素青 、马春喜 、高飞 、张红岩 、陆敏 、郑红军 、房玉龙 、芦伟立 、丁雄杰 、刘薇 、李嘉炜 、晏阳 、钮应喜 、杨玉聪 、黄树福 。

目录

标准状态

当前标准

GB/T 43313-2023 现行

碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试 共焦点微分干涉法

基础信息

标准号
GB/T 43313-2023
发布日期
2023-11-27
实施日期
2024-06-01
标准计划
20210888-T-469
标准类别
方法
中国标准分类号
H21
国际标准分类号
77.040
77 冶金
77.040 金属材料试验
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门
国家标准委

起草单位

起草人

姚康
刘立娜
马春喜
高飞
郑红军
房玉龙
刘薇
李嘉炜
杨玉聪
黄树福
何烜坤
李素青
张红岩
陆敏
芦伟立
丁雄杰
晏阳
钮应喜

相近标准(计划)