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国家标准计划《半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法》由 TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准化管理委员会。 拟实施日期:发布后6个月正式实施。

主要起草单位 中国电子科技集团公司第四十六研究所有色金属技术经济研究院有限责任公司浙江金瑞泓科技股份有限公司浙江海纳半导体股份有限公司广东天域半导体股份有限公司北京通美晶体技术股份有限公司山东有研半导体材料有限公司天津中环领先材料技术有限公司北京天科合达半导体股份有限公司中电晶华(天津)半导体材料有限公司浙江旭盛电子有限公司浙江中晶科技股份有限公司昆山海菲曼科技集团有限公司

主要起草人 何烜坤刘立娜李素青张颖马春喜张海英潘金平丁雄杰任殿胜王元立朱晓彤张雪囡佘宗静齐斐许蓉李明达詹玉峰黄笑容边仿

目录

项目进度

修订了以下标准

GB/T 6616-2009 (全部代替)

半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
当前标准计划

20211954-T-469 已发布

半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法

基础信息

计划号
20211954-T-469
制修订
修订
项目周期
18个月
下达日期
2021-07-21
标准类别
方法
中国标准分类号
H21
国际标准分类号
77.040
77 冶金
77.040 金属材料试验
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门
国家标准化管理委员会

起草单位

起草人

何烜坤
刘立娜
马春喜
张海英
任殿胜
王元立
佘宗静
齐斐
詹玉峰
黄笑容
李素青
张颖
潘金平
丁雄杰
朱晓彤
张雪囡
许蓉
李明达
边仿

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