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国家标准计划《半导体晶片近边缘几何形态评价 第2部分:边缘卷曲法(ROA)》由 TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准委。 拟实施日期:发布后6个月正式实施。

主要起草单位 山东有研半导体材料有限公司西安奕斯伟材料科技股份有限公司天津中环领先材料技术有限公司金瑞泓微电子(衢州)有限公司浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司广东天域半导体股份有限公司深圳中科飞测科技股份有限公司云南驰宏国际锗业有限公司

主要起草人 宁永铎朱晓彤于亚迪王玥张婉婉张雪囡刘云霞徐国科吕莹徐新华丁雄杰马砚忠陆占清

目录

项目进度

当前标准计划

20240496-T-469 已发布

半导体晶片近边缘几何形态评价 第2部分:边缘卷曲法(ROA)

基础信息

计划号
20240496-T-469
制修订
制定
项目周期
18个月
下达日期
2024-03-25
标准类别
方法
中国标准分类号
H21
国际标准分类号
77.040
77 冶金
77.040 金属材料试验
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门
国家标准委

起草单位

起草人

宁永铎
朱晓彤
张婉婉
张雪囡
吕莹
徐新华
陆占清
于亚迪
王玥
刘云霞
徐国科
丁雄杰
马砚忠

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