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国家标准《半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法》 由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准委

主要起草单位 万向硅峰电子股份有限公司

主要起草人 楼春兰朱兴萍方强汪新平戴文仙

目录

标准状态

代替了以下标准

GB/T 6616-1995 (全部代替)

半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法
当前标准

GB/T 6616-2009 废止

半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
被以下标准替代

GB/T 6616-2023 (全部代替)

半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法

基础信息

标准号
GB/T 6616-2009
发布日期
2009-10-30
实施日期
2010-06-01
废止日期
2024-03-01
全部代替标准
GB/T 6616-1995
标准类别
方法
中国标准分类号
H80
国际标准分类号
29.045
29 电气工程
29.045 半导体材料
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门
国家标准委

采标情况

本标准修改采用其他国际标准:SEMI MF673-1105。

采标中文名称:用非接触涡流法测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法。

起草单位

起草人

楼春兰
朱兴萍
戴文仙
方强
汪新平

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