国家标准计划《半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验》由 TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口 ，主管部门为工业和信息化部（电子）。 拟实施日期：发布后3个月正式实施。

主要起草单位 中国电子科技集团公司第十三研究所 、河北北芯半导体科技有限公司 、安徽华祯光电有限公司 、佛山市川东磁电股份有限公司 、厦门芯阳科技股份有限公司 、河北新华北集成电路有限公司 、工业和信息化部电子第五研究所 、上海维安半导体有限公司 、浙江朗德电子科技有限公司 、重庆平伟实业股份有限公司 、无锡新洁能股份有限公司 、江苏长晶科技股份有限公司 。

主要起草人 赵海龙 、彭浩 、张魁 、张中 、席善斌 、黄志强 、黄杰 、刘东月 、冉红雷 、尹丽晶 、颜天宝 、裴选 、柳华光 、曲韩宾 、任怀龙 、高博 、章晓文 、苏海伟 、陈磊 、李述洲 、朱袁正 、杨国江 。

本标准等同采用IEC国际标准：IEC 62417:2010。

采标中文名称:半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的自由离子试验。