国家标准计划《半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验》由 TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口 ，主管部门为工业和信息化部（电子）。 拟实施日期：发布后3个月正式实施。

主要起草单位 工业和信息化部电子第五研究所 、吉林华微电子股份有限公司 、安徽长麦智能科技有限公司 、中国科学院半导体研究所 、广东汇芯半导体有限公司 、贵州振华风光半导体股份有限公司 、河北北芯半导体科技有限公司 、东莞赛诺高德蚀刻科技有限公司 、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 、中国电子科技集团公司第十三研究所 、深圳市森美协尔科技有限公司 。

主要起草人 陈义强 、来萍 、高汭 、蔡荣敢 、冯宇翔 、王力纬 、董显山 、肖庆中 、陈媛 、常江 、刘岳阳 、刘岗岗 、裴选 、张亮旗 、冯军宏 、迟雷 、夏自金 、刘世文 。

本标准等同采用IEC国际标准：IEC 62374:2007。

采标中文名称:半导体器件 栅介质层的时间相关（电）介质击穿（TDDB）试验。