国家标准计划《半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验》由 TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口 ，主管部门为工业和信息化部（电子）。 拟实施日期：发布后3个月正式实施。

主要起草单位 工业和信息化部电子第五研究所 、河北北芯半导体科技有限公司 、上海交通大学 、中科院微电子所 、厦门芯阳科技股份有限公司 、深圳市威兆半导体股份有限公司 、浙江朗德电子科技有限公司 、中国电子科技集团公司第十三研究所 。

主要起草人 恩云飞 、高汭 、章晓文 、来萍 、柴智 、林晓玲 、陈义强 、周圣泽 、高金环 、任鹏鹏 、都安彦 、李伟聪 、陈磊 、冉红雷 。

本标准等同采用IEC国际标准：IEC 62373:2006。

采标中文名称:半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的温度偏置稳态试验。