国家标准计划《半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验》由 TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口 ，主管部门为工业和信息化部（电子）。

主要起草单位 工业和信息化部电子第五研究所 、中国电子科技集团公司第五十八研究所 、忆芯启恩（青岛）科技有限公司 、中国电子技术标准化研究院 。

本标准等同采用IEC国际标准：IEC 62373-1:2020。

采标中文名称:半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的温度偏置不稳定性（BTI）试验 第1部分：MOSFET的快速BTI试验。