注册

国家标准计划《半导体器件 微电子机械器件 第12部分:采用MEMS结构谐振法的薄膜材料弯曲疲劳试验方法》由 TC599(全国集成电路标准化技术委员会)归口 ,主管部门为工业和信息化部(电子)。 拟实施日期:发布后6个月正式实施。

主要起草单位 杭州大立微电子有限公司东南大学中国电子技术标准化研究院浙江大立科技股份有限公司中国科学院微电子研究所工业和信息化部电子第五研究所国科大杭州高等研究院中国科学院上海微系统与信息技术研究所中国计量大学复旦大学义乌研究院

主要起草人 姜利军刘翔王磊刘若冰朱晓荣钱良山钱剑池积光潘峰刘海涛马志刚焦斌斌陈勇国李春来刘世界唐国良罗雯雯肖克来提陈亮李方浩康永印董蕾

目录

项目进度

当前标准计划

20231779-T-339 正在批准

半导体器件 微电子机械器件 第12部分:采用MEMS结构谐振法的薄膜材料弯曲疲劳试验方法

基础信息

计划号
20231779-T-339
制修订
制定
项目周期
16个月
下达日期
2023-12-28
标准类别
方法
中国标准分类号
L40
国际标准分类号
31.080.99
31 电子学
31.080 半导体分立器件
31.080.99 其他半导体分立器件
归口单位
全国集成电路标准化技术委员会
副归口单位
全国微机电技术标准化技术委员会
执行单位
全国集成电路标准化技术委员会
主管部门
工业和信息化部(电子)

起草单位

起草人

姜利军
刘翔
朱晓荣
钱良山
潘峰
刘海涛
陈勇国
李春来
罗雯雯
肖克来提
康永印
董蕾
王磊
刘若冰
钱剑
池积光
马志刚
焦斌斌
刘世界
唐国良
陈亮
李方浩

采标情况

本标准等同采用IEC国际标准:IEC 62047-12:2011。

采标中文名称:半导体器件 微电子机械器件 第12部分:采用MEMS结构谐振法的薄膜材料挠曲疲劳试验方法。

相近标准(计划)