国家标准计划《半导体器件 微电子机械器件 第12部分:采用MEMS结构谐振法的薄膜材料弯曲疲劳试验方法》由 TC599(全国集成电路标准化技术委员会)归口 ,主管部门为工业和信息化部(电子)。 拟实施日期:发布后6个月正式实施。
主要起草单位 杭州大立微电子有限公司 、东南大学 、中国电子技术标准化研究院 、浙江大立科技股份有限公司 、中国科学院微电子研究所 、工业和信息化部电子第五研究所 、国科大杭州高等研究院 、中国科学院上海微系统与信息技术研究所 、中国计量大学 、复旦大学义乌研究院 。
主要起草人 姜利军 、刘翔 、王磊 、刘若冰 、朱晓荣 、钱良山 、钱剑 、池积光 、潘峰 、刘海涛 、马志刚 、焦斌斌 、陈勇国 、李春来 、刘世界 、唐国良 、罗雯雯 、肖克来提 、陈亮 、李方浩 、康永印 、董蕾 。
20231779-T-339 正在批准
| 31 电子学 |
| 31.080 半导体分立器件 |
| 31.080.99 其他半导体分立器件 |
本标准等同采用IEC国际标准:IEC 62047-12:2011。
采标中文名称:半导体器件 微电子机械器件 第12部分:采用MEMS结构谐振法的薄膜材料挠曲疲劳试验方法。