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起草的国家标准计划

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计划号
项目名称
制修订
计划下达日期
项目状态
1 20231107-T-469 硅片氧沉淀特性的测试 间隙氧含量减少法 修订 2023-12-01 正在批准
2 20231113-T-469 半导体晶片直径测试方法 修订 2023-12-01 正在批准
显示第 1 到第 2 条记录,总共 2 条记录

起草的国家标准

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标准号
标准中文名称
发布日期
实施日期
标准状态
1 GB/T 24578-2024 半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法 2024-07-24 2025-02-01 现行
2 GB/T 14264-2024 半导体材料术语 2024-04-25 2024-11-01 现行
3 GB/T 43976-2024 电子气体 四氟甲烷 2024-04-25 2024-11-01 现行
4 GB/T 43977-2024 电子气体 八氟环丁烷 2024-04-25 2024-11-01 现行
5 GB/T 1558-2023 硅中代位碳含量的红外吸收测试方法 2023-12-28 2024-07-01 现行
6 GB/T 43315-2023 硅片流动图形缺陷的检测 腐蚀法 2023-11-27 2024-06-01 现行
7 GB/T 1553-2023 硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法 2023-08-06 2024-03-01 现行
8 GB/T 1555-2023 半导体单晶晶向测定方法 2023-08-06 2024-03-01 现行
9 GB/T 42676-2023 半导体单晶晶体质量的测试 X射线衍射法 2023-08-06 2024-03-01 现行
10 GB/T 6616-2023 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法 2023-08-06 2024-03-01 现行
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