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国家标准计划《硅片氧沉淀特性的测试 间隙氧含量减少法》由 TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准委

主要起草单位 麦斯克电子材料股份有限公司中环领先半导体材料有限公司杭州中欣晶圆半导体股份有限公司上海新昇半导体科技有限公司浙江海纳半导体股份有限公司浙江金瑞泓科技股份有限公司上海合晶硅材料股份有限公司南京国盛电子有限公司洛阳鸿泰半导体有限公司

目录

项目进度

修订了以下标准

GB/T 19444-2004 (全部代替)

硅片氧沉淀特性的测定 间隙氧含量减少法
当前标准计划

20231107-T-469 正在征求意见

硅片氧沉淀特性的测试 间隙氧含量减少法

征求意见稿

基础信息

计划号
20231107-T-469
制修订
修订
项目周期
16个月
下达日期
2023-12-01
标准类别
方法
国际标准分类号
77.040
77 冶金
77.040 金属材料试验
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门
国家标准委

起草单位

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