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国家标准计划《硅片氧沉淀特性的测试 间隙氧含量减少法》由 TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准委。 拟实施日期:发布后6个月正式实施。

主要起草单位 麦斯克电子材料股份有限公司浙江中晶科技股份有限公司隆基绿能科技股份有限公司内蒙古中环晶体材料有限公司浙江海纳半导体股份有限公司山东有研艾斯半导体材料有限公司浙江金瑞泓科技股份有限公司杭州中欣晶圆半导体股份有限公司上海合晶硅材料股份有限公司浙大宁波理工学院

主要起草人 方丽霞陈卫群姚献朋黄笑容寇文辉王新社郭红强刘丽娟肖世豪朱晓彤张海英王江华尚海波章金兵

目录

项目进度

修订了以下标准

GB/T 19444-2004 (全部代替)

硅片氧沉淀特性的测定 间隙氧含量减少法
当前标准计划

20231107-T-469 正在批准

硅片氧沉淀特性的测试 间隙氧含量减少法

基础信息

计划号
20231107-T-469
制修订
修订
项目周期
16个月
下达日期
2023-12-01
标准类别
方法
中国标准分类号
H 21
国际标准分类号
77.040
77 冶金
77.040 金属材料试验
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门
国家标准委

起草单位

起草人

方丽霞
陈卫群
寇文辉
王新社
肖世豪
朱晓彤
尚海波
章金兵
姚献朋
黄笑容
郭红强
刘丽娟
张海英
王江华

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