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国家标准计划《锗单晶位错密度的测试方法》由 TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准委。 拟实施日期:发布后10个月正式实施。

主要起草单位 有研光电新材料有限责任公司北京国晶辉红外光学科技有限公司国合通用测试评价认证股份公司云南临沧鑫圆锗业股份有限公司中国电子科技集团公司第四十六研究所广东先导稀材股份有限公司中锗科技有限公司义乌力迈新材料有限公司

主要起草人 张路冯德伸马会超普世坤姚康刘新军郭荣贵向清华韦圣林黄洪伟文

目录

项目进度

修订了以下标准

GB/T 5252-2006 (全部代替)

锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法
当前标准计划

20173474-T-610 已发布

锗单晶位错密度的测试方法
已发布标准

基础信息

计划号
20173474-T-610
制修订
修订
项目周期
24个月
下达日期
2018-01-09
标准类别
方法
中国标准分类号
H21
国际标准分类号
77.040
77 冶金
77.040 金属材料试验
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门
国家标准委

起草单位

起草人

张路
冯德伸
姚康
刘新军
韦圣林
黄洪伟文
马会超
普世坤
郭荣贵
向清华

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