国家标准计划《低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度（EPD）的测量方法》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准委。 拟实施日期：发布后8个月正式实施。

主要起草单位 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 、中科院半导体研究所 。

主要起草人 惠峰 、普世坤 、董汝昆 。