国家标准计划《锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口 ，主管部门为国家标准委。 拟实施日期：发布后6个月正式实施。

主要起草单位 中国电子科技集团公司第十一研究所 、无锡晶名光电科技有限公司 、中国科学院半导体研究所 、中国电子技术标准化研究院 、无锡兴华衡辉科技有限公司 。

主要起草人 赵超 、程鹏 、沈桂英 、曹可慰 、牟宏山 、刘铭 、陈元瑞 、史泽远 、仇瑛 、赵俊莎 、折伟林 、吴怡然 、董涛 。