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国家标准计划《碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试 共焦点微分干涉法》由 TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准委。 拟实施日期:发布后6个月正式实施。

主要起草单位 中国电子科技集团公司第四十六研究所山东天岳先进科技股份有限公司常州臻晶半导体有限公司湖州东尼半导体科技有限公司厦门坤锦电子科技有限公司中国电子科技集团公司第十三研究所广东天域半导体股份有限公司有色金属技术经济研究院有限责任公司中国科学院半导体研究所TCL环鑫半导体(天津)有限公司浙江东尼电子股份有限公司

主要起草人 姚康刘立娜何烜坤李素青马春喜高飞张红岩陆敏郑红军房玉龙芦伟立丁雄杰刘薇李嘉炜晏阳钮应喜杨玉聪黄树福

目录

项目进度

当前标准计划

20210888-T-469 已发布

碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试 共焦点微分干涉法

基础信息

计划号
20210888-T-469
制修订
制定
项目周期
24个月
下达日期
2021-04-30
标准类别
方法
中国标准分类号
H21
国际标准分类号
77.040
77 冶金
77.040 金属材料试验
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门
国家标准委

起草单位

起草人

姚康
刘立娜
马春喜
高飞
郑红军
房玉龙
刘薇
李嘉炜
杨玉聪
黄树福
何烜坤
李素青
张红岩
陆敏
芦伟立
丁雄杰
晏阳
钮应喜

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