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国家标准《碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法》 由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准委。

主要起草单位 北京天科合达半导体股份有限公司 、中国电子科技集团公司第四十六研究所 、山东天岳先进科技股份有限公司 、安徽长飞先进半导体股份有限公司 、广东天域半导体股份有限公司 、南京盛鑫半导体材料有限公司 、有色金属技术经济研究院有限责任公司 、浙江晶瑞电子材料有限公司 、连科半导体有限公司 、长飞光纤光缆股份有限公司 、派恩杰半导体(浙江)有限公司 。

主要起草人 佘宗静 、彭同华 、何烜坤 、王大军 、王波 、杨建 、贺东江 、吴殿瑞 、刘小平 、刘薇 、黄宇程 、胡动力 、汪传勇 、赵文琪 、黄兴 。

目录

标准状态

代替了以下标准

GB/T 30867-2014 (全部代替)

碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法

GB/T 32278-2015 (全部代替)

碳化硅单晶片平整度测试方法
当前标准

GB/T 32278-2025 现行

碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法

基础信息

标准号
GB/T 32278-2025
发布日期
2025-08-01
实施日期
2026-02-01
全部代替标准
GB/T 32278-2015,GB/T 30867-2014
标准计划
20231112-T-469
标准类别
方法
中国标准分类号
H 21
国际标准分类号
77.040
77 冶金
77.040 金属材料试验
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门
国家标准委

起草单位

起草人

佘宗静
彭同华
王波
杨建
刘小平
刘薇
汪传勇
赵文琪
何烜坤
王大军
贺东江
吴殿瑞
黄宇程
胡动力
黄兴

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