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国家标准计划《碳化硅单晶片残余应力的测试 光弹法》由 TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准委

主要起草单位 上海天岳半导体材料有限公司苏州瑞霏光电科技有限公司山西烁科晶体有限公司广东天域半导体股份有限公司浙江晶瑞电子材料有限公司湖南三安半导体有限责任公司扬帆半导体材料(江苏)有限公司广州市尤特新材料有限公司盖泽精密科技(苏州)有限公司山东天岳先进科技股份有限公司山西天成半导体材料有限公司北京怀柔实验室扬帆半导体科技(苏州)有限公司

主要起草人 张九阳高超杨世兴王臻磊石志强舒天宇侯晓蕊丁雄杰刘小琴杜伟华李瑞评周志宏周益初苏丽娜刘洋洋李哲洋杨杰

目录

项目进度

当前标准计划

20254761-T-469 正在征求意见

碳化硅单晶片残余应力的测试 光弹法

征求意见稿

基础信息

计划号
20254761-T-469
制修订
制定
项目周期
18个月
下达日期
2025-09-05
标准类别
方法
国际标准分类号
77.040
77 冶金
77.040 金属材料试验
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门
国家标准委

起草单位

起草人

张九阳
高超
石志强
舒天宇
刘小琴
杜伟华
周益初
苏丽娜
杨杰
杨世兴
王臻磊
侯晓蕊
丁雄杰
李瑞评
周志宏
刘洋洋
李哲洋

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