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国家标准《半导体器件 金属氧化物半导体(MOS) 晶体管的热载流子试验》 由TC78(全国半导体器件标准化技术委员会)归口 ,主管部门为工业和信息化部(电子)

主要起草单位 工业和信息化部电子第五研究所西安电子科技大学国防科技大学河北北芯半导体科技有限公司中国电子科技集团公司第五十八研究所

主要起草人 路国光章晓文林晓玲游海龙杨少华彭超肖庆中韦覃如来萍梁斌张魁赵文斌晋李华

目录

标准状态

当前标准

GB/T 45719-2025 现行

半导体器件 金属氧化物半导体(MOS) 晶体管的热载流子试验

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基础信息

标准号
GB/T 45719-2025
发布日期
2025-05-30
实施日期
2025-09-01
标准类别
方法
中国标准分类号
L40
国际标准分类号
31.080.01
31 电子学
31.080 半导体分立器件
31.080.01 半导体分立器件综合
归口单位
全国半导体器件标准化技术委员会
执行单位
全国半导体器件标准化技术委员会
主管部门
工业和信息化部(电子)

采标情况

本标准等同采用IEC国际标准:IEC 62416:2010。

采标中文名称:半导体器件 MOS晶体管的热载流子试验。

起草单位

起草人

路国光
章晓文
杨少华
彭超
来萍
梁斌
晋李华
林晓玲
游海龙
肖庆中
韦覃如
张魁
赵文斌

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