国家标准《微机电系统(MEMS)技术 MEMS膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法》 由TC336(全国微机电技术标准化技术委员会)归口 ,主管部门为国家标准委。
主要起草单位 合肥美的电冰箱有限公司 、中机生产力促进中心有限公司 、绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 、中国科学院空天信息创新研究院 、苏州大学 、国网智能电网研究院有限公司 、苏州慧闻纳米科技有限公司 、无锡华润上华科技有限公司 、无锡芯感智半导体有限公司 、微纳感知(合肥)技术有限公司 、深圳市美思先端电子有限公司 、宁波科联电子有限公司 、美的集团股份有限公司 、东南大学 、工业和信息化部电子第五研究所 、深圳市速腾聚创科技有限公司 、华东电子工程研究所(中国电子科技集团公司第三十八研究所) 、北京晨晶电子有限公司 、南京高华科技股份有限公司 、武汉高德红外股份有限公司 、安徽北方微电子研究院集团有限公司 、广东润宇传感器股份有限公司 、无锡韦感半导体有限公司 、明石创新(烟台)微纳传感技术研究院有限公司 。
主要起草人 马卓标 、李根梓 、曹诗亮 、谢波 、余庆 、孙立宁 、王军波 、梁先锋 、孙旭辉 、胡永刚 、杨绍松 、许磊 、宏宇 、王雄伟 、钱峰 、周再发 、董显山 、杨旸 、张森 、张红旗 、汤一 、兰之康 、黄晟 、张胜兵 、李海全 、万蔡辛 、高峰 、陈林 。
GB/T 44517-2024 即将实施
31 电子学 |
31.080 半导体分立器件 |
31.080.99 其他半导体分立器件 |
本标准等同采用IEC国际标准:IEC 62047-16:2015。
采标中文名称:半导体器件 微机电器件 第16部分:MEMS膜残余应力试验方法 晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法。