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国家标准《微机电系统(MEMS)技术 MEMS膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法》 由TC336(全国微机电技术标准化技术委员会)归口 ,主管部门为国家标准委

主要起草单位 合肥美的电冰箱有限公司中机生产力促进中心有限公司绍兴中芯集成电路制造股份有限公司中国科学院空天信息创新研究院苏州大学国网智能电网研究院有限公司苏州慧闻纳米科技有限公司无锡华润上华科技有限公司无锡芯感智半导体有限公司微纳感知(合肥)技术有限公司深圳市美思先端电子有限公司宁波科联电子有限公司美的集团股份有限公司东南大学工业和信息化部电子第五研究所深圳市速腾聚创科技有限公司华东电子工程研究所(中国电子科技集团公司第三十八研究所)北京晨晶电子有限公司南京高华科技股份有限公司武汉高德红外股份有限公司安徽北方微电子研究院集团有限公司广东润宇传感器股份有限公司无锡韦感半导体有限公司明石创新(烟台)微纳传感技术研究院有限公司

主要起草人 马卓标李根梓曹诗亮谢波余庆孙立宁王军波梁先锋孙旭辉胡永刚杨绍松许磊宏宇王雄伟钱峰周再发董显山杨旸张森张红旗汤一兰之康黄晟张胜兵李海全万蔡辛高峰陈林

目录

标准状态

当前标准

GB/T 44517-2024 即将实施

微机电系统(MEMS)技术 MEMS膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法

基础信息

标准号
GB/T 44517-2024
发布日期
2024-09-29
实施日期
2025-04-01
标准类别
方法
中国标准分类号
L59
国际标准分类号
31.080.99
31 电子学
31.080 半导体分立器件
31.080.99 其他半导体分立器件
归口单位
全国微机电技术标准化技术委员会
执行单位
全国微机电技术标准化技术委员会
主管部门
国家标准委

采标情况

本标准等同采用IEC国际标准:IEC 62047-16:2015。

采标中文名称:半导体器件 微机电器件 第16部分:MEMS膜残余应力试验方法 晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法。

起草单位

起草人

马卓标
李根梓
余庆
孙立宁
孙旭辉
胡永刚
宏宇
王雄伟
董显山
杨旸
汤一
兰之康
李海全
万蔡辛
曹诗亮
谢波
王军波
梁先锋
杨绍松
许磊
钱峰
周再发
张森
张红旗
黄晟
张胜兵
高峰
陈林

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