注册

起草的国家标准计划

#
计划号
项目名称
制修订
计划下达日期
项目状态
1 20250813-T-469 半导体晶片近边缘几何形态评价 第3部分:扇形区域平整度法(ESFQR、ESFQD、ESBIR) 制定 2025-03-27 正在起草
2 20250148-T-469 300 mm硅片表面纳米形貌的评价方法 制定 2025-01-27 正在起草
3 20243061-T-469 300 mm硅外延片 制定 2024-09-29 正在起草
4 20240496-T-469 半导体晶片近边缘几何形态评价 第2部分:边缘卷曲法(ROA) 制定 2024-03-25 正在征求意见
5 20231107-T-469 硅片氧沉淀特性的测试 间隙氧含量减少法 修订 2023-12-01 正在审查
显示第 1 到第 5 条记录,总共 5 条记录

起草的国家标准

#
标准号
标准中文名称
发布日期
实施日期
标准状态
1 GB/T 44334-2024 埋层硅外延片 2024-08-23 2025-03-01 现行
2 GB/T 14264-2024 半导体材料术语 2024-04-25 2024-11-01 现行
3 GB/T 43894.1-2024 半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分:高度径向二阶导数法(ZDD) 2024-04-25 2024-11-01 现行
4 GB/T 43315-2023 硅片流动图形缺陷的检测 腐蚀法 2023-11-27 2024-06-01 现行
5 GB/T 26069-2022 硅单晶退火片 2022-03-09 2022-10-01 现行
6 GB/T 41325-2022 集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片 2022-03-09 2022-10-01 现行
7 GB/T 40279-2021 硅片表面薄膜厚度的测试 光学反射法 2021-08-20 2022-03-01 现行
显示第 1 到第 7 条记录,总共 7 条记录