国家标准计划《半导体晶片近边缘几何形态评价 第3部分：扇形区域平整度法(ESFQR、ESFQD、ESBIR）》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准委。 拟实施日期：发布后6个月正式实施。

主要起草单位 山东有研半导体材料有限公司 、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 、金瑞泓微电子（嘉兴）有限公司 、西安奕斯伟材料科技股份有限公司 、广东天域半导体股份有限公司 、浙江晶越半导体有限公司 、上海晶盟硅材料有限公司 、郑州合晶硅材料有限公司 、深圳中科飞测科技股份有限公司 。

主要起草人 朱晓彤 、宁永铎 、王玥 、刘云霞 、徐新华 、徐国科 、张婉婉 、丁雄杰 、高冰 、顾广安 、钟佑生 、马砚忠 。