国家标准计划《半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验》由 TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口 ，主管部门为工业和信息化部（电子）。 拟实施日期：发布后3个月正式实施。

主要起草单位 工业和信息化部电子第五研究所 、西安电子科技大学 、国防科技大学 、河北北芯半导体科技有限公司 、中国电子科技集团公司第五十八研究所 。

主要起草人 路国光 、章晓文 、林晓玲 、游海龙 、杨少华 、彭超 、肖庆中 、韦覃如 、来萍 、梁斌 、张魁 、赵文斌 、晋李华 。

本标准等同采用IEC国际标准：IEC 62416:2010。

采标中文名称:半导体器件 关于MOS晶体管的热载流子试验。