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国家标准《硅片氧沉淀特性的测试 间隙氧含量减少法》 由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准委。

主要起草单位 麦斯克电子材料股份有限公司 、浙江中晶科技股份有限公司 、隆基绿能科技股份有限公司 、内蒙古中环晶体材料有限公司 、浙江海纳半导体股份有限公司 、山东有研艾斯半导体材料有限公司 、浙江金瑞泓科技股份有限公司 、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 、上海合晶硅材料股份有限公司 、浙大宁波理工学院 。

主要起草人 方丽霞 、陈卫群 、姚献朋 、黄笑容 、寇文辉 、王新社 、郭红强 、刘丽娟 、肖世豪 、朱晓彤 、张海英 、王江华 、尚海波 、章金兵 。

目录

标准状态

代替了以下标准

GB/T 19444-2004 (全部代替)

硅片氧沉淀特性的测定 间隙氧含量减少法
当前标准

GB/T 19444-2025 现行

硅片氧沉淀特性的测试 间隙氧含量减少法

基础信息

标准号
GB/T 19444-2025
发布日期
2025-06-30
实施日期
2026-01-01
全部代替标准
GB/T 19444-2004
标准计划
20231107-T-469
标准类别
方法
中国标准分类号
H 21
国际标准分类号
77.040
77 冶金
77.040 金属材料试验
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门
国家标准委

起草单位

起草人

方丽霞
陈卫群
寇文辉
王新社
肖世豪
朱晓彤
尚海波
章金兵
姚献朋
黄笑容
郭红强
刘丽娟
张海英
王江华

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