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国家标准《硅片氧沉淀特性的测定间隙氧含量减少法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。

主要起草单位洛阳单晶硅有限责任公司。

目录

标准状态

当前标准

GB/T 19444-2004 现行

硅片氧沉淀特性的测定间隙氧含量减少法

修订计划

20231107-T-469 正在起草

硅片氧沉淀特性的测试间隙氧含量减少法

基础信息

标准号: GB/T 19444-2004
发布日期: 2004-02-05
实施日期: 2004-07-01

标准类别

方法

中国标准分类号

H26

国际标准分类号

29.040

29 电气工程

29.040 绝缘流体

归口单位

全国半导体设备和材料标准化技术委员会

执行单位

全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会

主管部门

国家标准化管理委员会

起草单位

洛阳单晶硅有限责任公司

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