国家标准计划《用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片》由 TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准委。
主要起草单位 苏州晶湛半导体有限公司 、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 、华润微电子(重庆)有限公司 、厦门市三安集成电路有限公司 、珠海镓未来科技有限公司 、广东工业大学 、大连理工大学 、中山大学 、北京中博芯半导体科技有限公司 、中国科学院微电子研究所 、工业和信息化部电子第五研究所 、北京大学东莞光电研究院 、南京盛鑫半导体材料有限公司 、重庆平创半导体研究院有限责任公司 、江苏能华微电子科技发展有限公司 。
主要起草人 向鹏 、程凯 、杨露 、高伟 、郑晨焱 、叶念慈 、张铭宏 、贺致远 、黄火林 、刘扬 、陈正昊 、康玄武 、施宜军 、刘强 、宋占洋 、陈显平 、夏远洋 。
20260731-T-469 正在征求意见
| 29 电气工程 |
| 29.045 半导体材料 |