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国家标准计划《用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片》由 TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准委

主要起草单位 苏州晶湛半导体有限公司北京第三代半导体产业技术创新战略联盟华润微电子(重庆)有限公司厦门市三安集成电路有限公司珠海镓未来科技有限公司广东工业大学大连理工大学中山大学北京中博芯半导体科技有限公司中国科学院微电子研究所工业和信息化部电子第五研究所北京大学东莞光电研究院南京盛鑫半导体材料有限公司重庆平创半导体研究院有限责任公司江苏能华微电子科技发展有限公司

主要起草人 向鹏程凯杨露高伟郑晨焱叶念慈张铭宏贺致远黄火林刘扬陈正昊康玄武施宜军刘强宋占洋陈显平夏远洋

目录

项目进度

当前标准计划

20260731-T-469 正在征求意见

用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片

征求意见稿

基础信息

计划号
20260731-T-469
制修订
制定
项目周期
6个月
标准类别
产品
国际标准分类号
29.045
29 电气工程
29.045 半导体材料
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门
国家标准委

起草单位

起草人

向鹏
程凯
郑晨焱
叶念慈
黄火林
刘扬
施宜军
刘强
夏远洋
杨露
高伟
张铭宏
贺致远
陈正昊
康玄武
宋占洋
陈显平

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