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国家标准计划《用于功率转化的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)动态导通电阻测试方法指南》由 TC78(全国半导体器件标准化技术委员会)归口 ,主管部门为工业和信息化部(电子)

主要起草单位 工业和信息化部电子第五研究所电子科技大学广东工业大学

目录

项目进度

当前标准计划

20242270-T-339 正在起草

用于功率转化的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)动态导通电阻测试方法指南

基础信息

计划号
20242270-T-339
制修订
制定
项目周期
16个月
下达日期
2024-07-25
标准类别
方法
国际标准分类号
31.080.99
31 电子学
31.080 半导体分立器件
31.080.99 其他半导体分立器件
归口单位
全国半导体器件标准化技术委员会
执行单位
全国半导体器件标准化技术委员会
主管部门
工业和信息化部(电子)

起草单位

采标情况

本标准等同采用IEC国际标准:IEC 63373:2022。

采标中文名称:用于功率转化的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT) 动态导通电阻测试方法指南。

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