国家标准计划《氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）动态导通电阻测试方法 第1部分：多脉冲硬开关法》由 TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，TC78SC1（全国半导体器件标准化技术委员会半导体分立器件分会）执行 ，主管部门为工业和信息化部（电子）。

主要起草单位 广东工业大学 、工业和信息化部电子第五研究所 、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 、佛山市联动科技股份有限公司 、英诺赛科（珠海）科技有限公司 、珠海镓未来科技有限公司 、华为技术有限公司 、东南大学 、浙江大学 、大连理工大学 、西安电子科技大学 、西交利物浦大学 、江南大学 、北京大学 、佛山市国星光电股份有限公司 、北京大学东莞光电研究院 、中国科学院半导体研究所 、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 。