国家标准计划《氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）动态导通电阻测试方法 第1部分：多脉冲硬开关法》由 TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，TC78SC1（全国半导体器件标准化技术委员会半导体分立器件分会）执行 ，主管部门为工业和信息化部（电子）。

主要起草单位 广东工业大学 、工业和信息化部电子第五研究所 、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 、英诺赛科（珠海）科技有限公司 、江苏第三代半导体研究院有限公司 、佛山市联动科技股份有限公司 、珠海镓未来科技有限公司 、东南大学 、浙江大学 、北京华峰测控技术股份有限公司 、大连理工大学 、西安电子科技大学 、西交利物浦大学 、北京大学东莞光电研究院 、西安交通大学 、深圳平湖实验室 、江苏能华微电子科技发展有限公司 、浙江大学杭州国际科创中心 、中国电子科技集团公司第五十五研究所 、广电计量检测集团股份有限公司 、华南师范大学 、忱芯科技(上海)有限公司 、广东致能半导体有限公司 、江苏宏微科技股份有限公司 、江西万年晶半导体有限公司 、乐山希尔电子股份有限公司 、合肥芯谷微电子股份有限公司 。

主要起草人 贺致远 、何亮 、王成财 、高伟 、吴金刚 、周梦凡 、陈希辰 、曾凡明 、李胜 、吴新科 、路国光 、沈彬 、刘远 、刘惠鹏 、黄火林 、李祥东 、刘雯 、王琦 、王康平 、刘斯扬 、王小明 、朱廷刚 、赵问鼎 、王登贵 、李汝冠 、毛赛君 、郭志友 、黎子兰 、王天赐 、白俊春 、张丙可 、黄军恒 。