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国家标准《锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。

主要起草单位航空航天部8358研究所。

目录

标准状态

当前标准

GB/T 11297.7-1989 现行

锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法

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GB/T 11297.6-1989《锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法》GB/T 11297.7-1989 《锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法》解读

基础信息

标准号: GB/T 11297.7-1989
发布日期: 1989-03-31
实施日期: 1990-01-01

标准类别: 方法
中国标准分类号: L32
归口单位: 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位: 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门: 国家标准化管理委员会

起草单位

航空航天部8358研究所

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