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起草的国家标准计划

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计划号
项目名称
制修订
计划下达日期
项目状态
1 20240496-T-469 半导体晶片近边缘几何形态评价 第2部分:边缘卷曲法(ROA) 制定 2024-03-25 正在征求意见
2 20233945-T-610 硅片径向电阻率变化测量方法 修订 2023-12-28 正在审查
3 20231107-T-469 硅片氧沉淀特性的测试 间隙氧含量减少法 修订 2023-12-01 正在批准
4 20231113-T-469 半导体晶片直径测试方法 修订 2023-12-01 正在批准
显示第 1 到第 4 条记录,总共 4 条记录

起草的国家标准

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标准号
标准中文名称
发布日期
实施日期
标准状态
1 GB/T 14264-2024 半导体材料术语 2024-04-25 2024-11-01 现行
2 GB/T 43315-2023 硅片流动图形缺陷的检测 腐蚀法 2023-11-27 2024-06-01 现行
3 GB/T 42789-2023 硅片表面光泽度的测试方法 2023-08-06 2024-03-01 现行
4 GB/T 12963-2022 电子级多晶硅 2022-12-30 2023-07-01 现行
5 GB/T 40279-2021 硅片表面薄膜厚度的测试 光学反射法 2021-08-20 2022-03-01 现行
显示第 1 到第 5 条记录,总共 5 条记录