国家标准计划《半导体器件 金属化空洞应力试验》由 TC78(全国半导体器件标准化技术委员会)归口 ,主管部门为工业和信息化部(电子)。 拟实施日期:发布后3个月正式实施。
主要起草单位 中国电子科技集团公司第十三研究所 、河北北芯半导体科技有限公司 、广州天极电子科技股份有限公司 、中国核电工程有限公司河北分公司 、广东科信电子有限公司 、河北新华北集成电路有限公司 、工业和信息化部电子第五研究所 、中山奥士森电子有限公司 、深圳市微特精密科技股份有限公司 。
主要起草人 裴选 、席善斌 、杨俊锋 、侯继儒 、卫云 、高东阳 、尹丽晶 、吴亚光 、赵昱 、柯佳键 、任怀龙 、肖庆中 、龙秀才 、程志勇 、曲韩宾 、高博 。
20213172-T-339 正在批准
31 电子学 |
31.080 半导体分立器件 |
31.080.01 半导体分立器件综合 |
本标准等同采用IEC国际标准:IEC62418:2010。
采标中文名称:半导体器件 金属化空洞应力试验。