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国家标准计划《半导体器件 金属化空洞应力试验》由 TC78(全国半导体器件标准化技术委员会)归口 ,主管部门为工业和信息化部(电子)。 拟实施日期:发布后3个月正式实施。

主要起草单位 中国电子科技集团公司第十三研究所河北北芯半导体科技有限公司广州天极电子科技股份有限公司中国核电工程有限公司河北分公司广东科信电子有限公司河北新华北集成电路有限公司工业和信息化部电子第五研究所中山奥士森电子有限公司深圳市微特精密科技股份有限公司

主要起草人 裴选席善斌杨俊锋侯继儒卫云高东阳尹丽晶吴亚光赵昱柯佳键任怀龙肖庆中龙秀才程志勇曲韩宾高博

目录

项目进度

当前标准计划

20213172-T-339 正在批准

半导体器件 金属化空洞应力试验

基础信息

计划号
20213172-T-339
制修订
制定
项目周期
18个月
下达日期
2021-08-24
标准类别
方法
中国标准分类号
L00
国际标准分类号
31.080.01
31 电子学
31.080 半导体分立器件
31.080.01 半导体分立器件综合
归口单位
全国半导体器件标准化技术委员会
执行单位
全国半导体器件标准化技术委员会
主管部门
工业和信息化部(电子)

起草单位

起草人

裴选
席善斌
卫云
高东阳
赵昱
柯佳键
龙秀才
程志勇
杨俊锋
侯继儒
尹丽晶
吴亚光
任怀龙
肖庆中
曲韩宾
高博

采标情况

本标准等同采用IEC国际标准:IEC62418:2010。

采标中文名称:半导体器件 金属化空洞应力试验。

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