国家标准计划《半导体器件 应力迁移试验 第1部分:铜应力迁移试验》由 TC78(全国半导体器件标准化技术委员会)归口 ,主管部门为工业和信息化部(电子)。 拟实施日期:发布后3个月正式实施。
主要起草单位 工业和信息化部电子第五研究所 、中国电子科技集团公司第五十八研究所 、河北北芯半导体科技有限公司 、华南理工大学 、杭州飞仕得科技股份有限公司 、广东工业大学 、广东气派科技有限公司 、中绍宣标准科技集团有限公司 。
主要起草人 黄云 、肖庆中 、高汭 、韦覃如 、成立业 、雷登云 、周振威 、陈思 、黄钦文 、贾沛 、赵海龙 、姚若河 、李军 、万永康 、虞勇坚 、刘东月 、陈勇 、崔从俊 。
20213175-T-339 正在批准
31 电子学 |
31.080 半导体分立器件 |
31.080.01 半导体分立器件综合 |
本标准等同采用IEC国际标准:IEC 62880-1:2017。
采标中文名称:半导体器件 半导体器件晶圆级可靠性 第1部分: 铜应力迁移试验。