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国家标准《半导体器件 微电子机械器件 第12部分:采用MEMS结构谐振法的薄膜材料弯曲疲劳试验方法》 由TC599(全国集成电路标准化技术委员会)、全国微机电技术标准化技术委员会联合归口 ,主管部门为工业和信息化部(电子)

主要起草单位 杭州大立微电子有限公司东南大学中国电子技术标准化研究院浙江大立科技股份有限公司中国科学院微电子研究所工业和信息化部电子第五研究所国科大杭州高等研究院中国科学院上海微系统与信息技术研究所中国计量大学复旦大学义乌研究院

主要起草人 姜利军刘翔王磊刘若冰朱晓荣钱良山钱剑池积光潘峰刘海涛马志刚焦斌斌陈勇国李春来刘世界唐国良罗雯雯肖克来提陈亮李方浩康永印董蕾

目录

标准状态

当前标准

GB/T 42709.12-2026 即将实施

半导体器件 微电子机械器件 第12部分:采用MEMS结构谐振法的薄膜材料弯曲疲劳试验方法

基础信息

标准号
GB/T 42709.12-2026
发布日期
2026-07-30
实施日期
2027-02-01
标准计划
20231779-T-339
标准类别
方法
中国标准分类号
L55
国际标准分类号
31.200
31 电子学
31.200 集成电路、微电子学
归口单位
全国集成电路标准化技术委员会全国微机电技术标准化技术委员会
副归口单位
全国微机电技术标准化技术委员会
执行单位
全国集成电路标准化技术委员会
主管部门
工业和信息化部(电子)

采标情况

本标准等同采用IEC国际标准:IEC 62047-12:2011。

采标中文名称:半导体器件 微电子机械器件 第12部分:采用MEMS结构谐振法的薄膜材料弯曲疲劳试验方法。

起草单位

起草人

姜利军
刘翔
朱晓荣
钱良山
潘峰
刘海涛
陈勇国
李春来
罗雯雯
肖克来提
康永印
董蕾
王磊
刘若冰
钱剑
池积光
马志刚
焦斌斌
刘世界
唐国良
陈亮
李方浩

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