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国家标准计划《半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分:缺陷的光致发光检测方法》由 TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准委。 拟实施日期:发布后6个月正式实施。

主要起草单位 河北半导体研究所(中国电子科技集团公司第十三研究所)之江实验室广东天域半导体股份有限公司中国电子科技集团公司第四十六研究所浙江大学山东天岳先进科技股份有限公司山西烁科晶体有限公司中国科学院半导体研究所中电化合物半导体有限公司河北普兴电子科技股份有限公司常州臻晶半导体有限公司深圳市星汉激光科技股份有限公司厦门特仪科技有限公司

主要起草人 芦伟立房玉龙李佳殷源丁雄杰张冉冉王健李丽霞张建锋李振廷徐晨杨青刘立娜杨世兴马康夫钮应喜金向军尹志鹏刘薇陆敏周少丰林志阳

目录

项目进度

当前标准计划

20214654-T-469 已发布

半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分:缺陷的光致发光检测方法

基础信息

计划号
20214654-T-469
制修订
制定
项目周期
18个月
下达日期
2021-12-31
标准类别
方法
中国标准分类号
L90
国际标准分类号
31.080.99
31 电子学
31.080 半导体分立器件
31.080.99 其他半导体分立器件
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门
国家标准委

起草单位

起草人

芦伟立
房玉龙
丁雄杰
张冉冉
张建锋
李振廷
刘立娜
杨世兴
金向军
尹志鹏
周少丰
林志阳
李佳
殷源
王健
李丽霞
徐晨
杨青
马康夫
钮应喜
刘薇
陆敏

采标情况

本标准等同采用IEC国际标准:IEC 63068-3:2020。

采标中文名称:半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分:缺陷的光致发光检测方法。

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