国家标准计划《半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准委。 拟实施日期：发布后6个月正式实施。

主要起草单位 河北半导体研究所（中国电子科技集团公司第十三研究所） 、之江实验室 、广东天域半导体股份有限公司 、中国电子科技集团公司第四十六研究所 、浙江大学 、山东天岳先进科技股份有限公司 、山西烁科晶体有限公司 、中国科学院半导体研究所 、中电化合物半导体有限公司 、河北普兴电子科技股份有限公司 、常州臻晶半导体有限公司 、深圳市星汉激光科技股份有限公司 、厦门特仪科技有限公司 。

主要起草人 芦伟立 、房玉龙 、李佳 、殷源 、丁雄杰 、张冉冉 、王健 、李丽霞 、张建锋 、李振廷 、徐晨 、杨青 、刘立娜 、杨世兴 、马康夫 、钮应喜 、金向军 、尹志鹏 、刘薇 、陆敏 、周少丰 、林志阳 。

本标准等同采用IEC国际标准：IEC 63068-3:2020。

采标中文名称:半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法。