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国家标准《硅片径向电阻率变化测量方法》 由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)、全国有色金属标准化技术委员会联合归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准委。

主要起草单位 麦斯克电子材料股份有限公司 、洛阳鸿泰半导体有限公司 、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 、山东有研艾斯半导体材料有限公司 、中环领先半导体科技股份有限公司 、浙江中晶科技股份有限公司 、浙江海纳半导体股份有限公司 、浙江金瑞泓科技股份有限公司 、上海新昇半导体科技有限公司 、上海合晶硅材料股份有限公司 、广东先导微电子科技有限公司 。

主要起草人 方丽霞 、郭可 、马武祥 、邢胜昌 、张志林 、寇文杰 、王江华 、朱晓彤 、邓春星 、黄笑容 、潘金平 、李慎重 、冯天 、尚海波 、马金峰 。

目录

标准状态

代替了以下标准

GB/T 11073-2007 (全部代替)

硅片径向电阻率变化的测量方法
当前标准

GB/T 11073-2025 现行

硅片径向电阻率变化测量方法

基础信息

标准号
GB/T 11073-2025
发布日期
2025-10-31
实施日期
2026-05-01
全部代替标准
GB/T 11073-2007
标准计划
20233945-T-610
标准类别
方法
中国标准分类号
H17
国际标准分类号
77.040
77 冶金
77.040 金属材料试验
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会、全国有色金属标准化技术委员会
副归口单位
全国有色金属标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门
国家标准委

起草单位

起草人

方丽霞
郭可
张志林
寇文杰
邓春星
黄笑容
冯天
尚海波
马武祥
邢胜昌
王江华
朱晓彤
潘金平
李慎重
马金峰

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