注册

国家标准《硅片径向电阻率变化测量方法》 由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)、全国有色金属标准化技术委员会联合归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准委

主要起草单位 麦斯克电子材料股份有限公司洛阳鸿泰半导体有限公司杭州中欣晶圆半导体股份有限公司山东有研艾斯半导体材料有限公司中环领先半导体科技股份有限公司浙江中晶科技股份有限公司浙江海纳半导体股份有限公司浙江金瑞泓科技股份有限公司上海新昇半导体科技有限公司上海合晶硅材料股份有限公司广东先导微电子科技有限公司

主要起草人 方丽霞郭可马武祥邢胜昌张志林寇文杰王江华朱晓彤邓春星黄笑容潘金平李慎重冯天尚海波马金峰

目录

标准状态

即将替代以下标准

GB/T 11073-2007 (全部代替)

硅片径向电阻率变化的测量方法
当前标准

GB/T 11073-2025 即将实施

硅片径向电阻率变化测量方法

基础信息

标准号
GB/T 11073-2025
发布日期
2025-10-31
实施日期
2026-05-01
全部代替标准
GB/T 11073-2007
标准类别
方法
中国标准分类号
H17
国际标准分类号
77.040
77 冶金
77.040 金属材料试验
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会全国有色金属标准化技术委员会
副归口单位
全国有色金属标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门
国家标准委

起草单位

起草人

方丽霞
郭可
张志林
寇文杰
邓春星
黄笑容
冯天
尚海波
马武祥
邢胜昌
王江华
朱晓彤
潘金平
李慎重
马金峰

相近标准(计划)