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半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法

Test method for measuring resistivity of semiconductor silicon or sheet resistance of semiconductorfilms with a noncontact eddy-current gage
国家标准 推荐性 废止

国家标准《半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法》 由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口 ，主管部门为国家标准委。

主要起草单位 上海有色金属研究所 。

目录

标准状态

  1. 发布
  2. 实施
  3. 废止
代替了以下标准

GB 6616-1986 （全部代替）

当前标准

GB/T 6616-1995 废止

半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法
被以下标准替代

GB/T 6616-2009 （全部代替）

半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法

基础信息

标准号
GB/T 6616-1995
发布日期
1995-04-18
实施日期
1995-12-01
废止日期
2010-06-01
标准类别
方法
中国标准分类号
H21
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门
国家标准委

采标情况

本标准等效采用ITU国际标准：ASTM F673:1990。

采标中文名称:。

起草单位

上海有色金属研究所

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