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国家标准《硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法》 由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口 ,主管部门为国家标准委

主要起草单位 宁波立立电子股份有限公司南京国盛电子有限公司信息产业部专用材料质量监督检验中心

主要起草人 李慎重许峰刘培东谌攀马林宝何秀坤

目录

标准状态

代替了以下标准

GB/T 14141-1993 (全部代替)

硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
当前标准

GB/T 14141-2009 现行

硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法

基础信息

标准号
GB/T 14141-2009
发布日期
2009-10-30
实施日期
2010-06-01
全部代替标准
GB/T 14141-1993
标准类别
方法
中国标准分类号
H80
国际标准分类号
29.045
29 电气工程
29.045 半导体材料
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门
国家标准委

起草单位

起草人

李慎重
许峰
马林宝
何秀坤
刘培东
谌攀

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